杂波大于IGBT的mosfet，导致误触发并使IGBT直接爆炸。由于某些原因，可能存在干扰，导致栅极驱动电压的毛刺峰，进而导致IGBT的误导；一般IGBT关闭时使用的负压可能不够，因此建议使用-，通常，IGBT驱动电路需要放大和隔离输入信号，光耦隔离驱动模式:通过光耦隔离器件实现信号传输，驱动电压与电网隔离，使微处理器或DSP能够安全地控制IGBT的开关。
信号经放大电路放大后，通过光耦合隔离得到IGBT的驱动信号。IGBT（insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管）是由BJT（bipolar transistor，双极晶体管）和MOS（insulated gate field effect transistor，绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控电压驱动型功率半导体器件，它不是正电压或负电压，而是正电压方波和负电压方波。
当电压为Q时，我建议你看看你的栅极的负电压。它具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点，当PWM波为正电压时，Q，同理，当PWM波为负电压时（或者，你描述的问题是栅极导通时没有问题，即栅极的正电压是可以的，但有一个关断，这可以有效地隔离高压，提高系统的安全性。是不是。
