驱动芯片的选择需要考虑驱动电平和驱动电流的要求、短死区时间和芯片的保护功能。第三代电力电子半导体SiCMOSFET:聚焦和高效的驱动方案本文介绍了SiC MOSFET的驱动方案，包括过流和过压保护措施，以及如何选择合适的驱动芯片，第一个使用双芯片的自研方案为玩家提供了更稳定的RT功能、可调的零死区、更大的灵活性和更高的适应性。
但是STM32F103的PWM模块只有一个比较时序值，PWM输出和互补输出之间的死区时间设置不够灵活，死区时间范围有限，因此无法产生IGBT驱动所需的波形。自研推动一站式管理和设置。LLC效率高的原因有三:首先，ZVS零电压开通是利用上下管的死区和漏电感的能量实现的，即驱动前这里有负电流。
经过深思熟虑，我最终没有使用PWM的互补输出，而是使用两个不同定时器的PWM输出分别产生正负驱动波形，其中一个定时器的cnt初始化值根据所需的死区时间进行设置。键盘使用了5个霍尔逻辑控制ic和M484SIDAE2U主控制器，该主控制器支持8Khz返回速率和RT等高级功能，但驱动程序仍使用公版方案。
全铝CNC技术，由《流浪地球2》联名键盘设计师设计的Amiro Victory是Amiro的首款磁轴键盘，由《流浪地球2》官方联名键盘设计师Buger设计。采用全金属CNC加工外壳和定制热升华键帽，轴体为达隆定制强化磁轴，40个可调键程，3毫米死区。更麻烦的是，基于PWM模块的IGBT触发波形的产生，TI28335的PWM模块是灵活的，它可以指定两个PWM的比较时序值，并可以设置当时序值清零并等于两个时序值时io端口的输出线比率，因此可以方便地产生具有足够死区时间的IGBT触发波形。
对于ADC采样，我通过ADC的组采样定时器触发DMA及其中断，实现控制器所有ADC通道的自动转换，释放了CPU的计算能力，并将其应用于更重要的电场闪络判断和保护算法。Amiro的磁轴键盘！整体设计和材料都很出色，但价格很高，有限责任公司高效率的原因。首先，当工作在三象限双向激励时，漏电感的能量将被利用并耦合到次级侧。
