带死区驱动芯片,驾驶停滞时间
驱动芯片的选择需要考虑驱动电平和驱动电流的要求、短死区时间和芯片的保护功能。第三代电力电子半导体SiCMOSFET:聚焦和高效的驱动方案本文介绍了SiCMOSFET的驱动方案，包括过流和过压保护措施，以及如何选择合适的驱动芯片，第一个使用双芯片的自研方案为玩家提供了更稳定的RT功能、可调的零死区、更大的灵活性和更高的适应性。但是STM32F103的PWM模块只有一个比较时序值，PWM输出和互补输出之间的死区时间设置不够灵活，死区时间范围有限，因此无法产生IGBT驱动所需的波形。自研推动一站式管理和设置。L...
更新时间：2024-07-23标签： 驱动芯片方案电流更稳 全文阅读