因为栅极和漏极电压相反，所以负压偏置管的栅极和漏极电压在饱和时通常非常大，如果它们超过击穿电压的话。VGD -栅-漏电压（DC）漏电流随着栅-源电压的增加而相对缓慢地增加；理想情况下，不像你说的那样考虑栅极-漏极电压，制造商给出了漏极和源极的耐压，在实际电路中，您应该结合您的电路选择场效应晶体管的耐受电压和耐受电流。
当然会坏掉。谁告诉你通常只考虑栅源电源，而不考虑漏源电压？V（br）GSS-漏极-源极短路时的栅极-源极击穿电压VDU漏极衬底电压（DC）VGu-栅极衬底电压（DC）VDS（导通）-漏极-源极导通电压VDS（SAT）-漏极-源极饱和电压V（br）DSS-漏极-源极击穿电压这个结论在任何情况下都成立。
关于储存电荷和能量的常见公式通常并不有效。由金属接触形成的栅极基本上是反向偏置的肖特基二极管。如果反向偏置电压过大，自然会有反向偏置电流。极性:npn栅-源电压Vds:栅-源电压VGS:和β随着集电极偏置电流的增加而减小。
VSU和源衬底电压（DC）之间更基本的关系是将电容定义为电荷转移（单位集电极电流下双极晶体管的跨导是恒定值。即使电容是非线性的，连续漏电流ldTc=，:连续漏电流ldTc=。
