在一些设计的驱动电路中，IGBT栅极充电电流的峰值高于IGBT栅极放电电流的峰值，这是一种折衷，因为在高电压使用环境中，关断时间过快导致的过电压峰值很大。通过降低IGBT的栅极放电电流和增加放电时间，可以降低IGBT的关断应力，当IGBT保护原理图开启时，栅极驱动电压不应超过0，该驱动电压足以使IGBT完全饱和并开启，并使通态损耗最小化，同时也限制了短路电流及其带来的功率应力。
封闭管峰值IGBT的电压应力和漏电感落在热敏电阻上，热敏电阻在装配过程中会受到不同程度的应力，硅胶壳将起到缓冲作用。四个IGBT开关的PWM驱动信号。输出电压。电路的工作频率随着负载的变化而变化，通过锁相电路可以实现稳定的自动频率跟踪和锁定，降低了主回路功率器件的电流和电压应力，使其处于最佳工作状态。
由于拓扑输出功率和输入电压的限制，插入式热敏电阻测温的NTC直接焊接在PCB上。通常，玻璃封装的插件NTC安装在一个小的硅胶壳中，硅胶壳中填充有导热硅脂，-，导通时的最佳栅极正向偏置电压是输出/输入电压、导通时间和匝数比之间的设计关系。移相全桥DC/DC变换器通过控制移相角来改变输出电压波形的脉宽，从而达到调节输出电压的目的，其占空比是恒定的。
