高关断电压MOSFET,降低mosfet关断电压
MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应晶体管，可以通过栅极电压开启和关闭，开关速度高于GTO。GTO具有较大的电压和电流容量，适用于大功率场合，具有电导调制效应，并具有较强的电流流动能力，电流关断增益小，栅极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率高，驱动电路复杂，开关频率低，MOSFET开关速度快，输入阻抗高。只有关掉；GTO称之为门极可关断晶闸管，当有电流时可以关断。然而，由于功率MOSFET和IGBT的输入电容Cin，当需要开启或关闭器件时，驱动电路需要对输入电容充电或放电以建立和消除驱动电压...
更新时间：2024-05-25标签： 关断开关电压GTO电流 全文阅读