对于MOSFET驱动芯片，如果你的主电路是高压大电流，控制电路一般是低压小电流，两者必须隔离（通常用高速光耦），以防止主电路击穿和控制电路烧坏。Hin和Lin是相位相反的逻辑信号，最高电平=电源值VDD；逻辑电路；当Hin为高电平时，输出端Ho也为高电平，反之Ho为低电平；可以连接到单片机，Hin和Lin应该同时连接，记住它们是相互相反的逻辑信号。
电路应考虑过零直通问题。全桥电路有四个臂和两个IR模块。如果主电路不是高压大电流，要求也不会太高。它可以形成半桥电路，通过四个IR和COM接地，高端输出配备自举电路，可以驱动高端MOS。需要一定的负载来给自举电容充电。IGBT，CNOS的驱动电路，耐压，峰值电流，构建一个高电压，大功率和小信号放大电路，
输出直接发送到功率MOSFET驱动电路IR，我仔细观察了该电路。你应该说的是C，兄弟。自举电容会影响输出波形，是的，它还会影响电压幅度。当灯泡开始放电时，VT控制电压并降低振荡频率。准确地说，那个电容应该叫做校正，而不是自举。它不会影响输出波形，但会影响负载能力。如果这个电容太小，负载电压就会受到影响。
，但是功耗不是很大，平均电流不能超过功率限制，并且不能进行高功率输出。记得设置死区，采用HVIC和锁存器的抗干扰CMOS制造工艺。简要分析了UC、PWM控制器和IR的特点和工作原理，并通过实验验证了其可行性。关键词:小信号放大器；双脉冲宽度调制；悬挂驱动；高电压和高功率，然后就可以形成整个桥梁；用一块UC。
