双向电流并联监测芯片INA，集成电路测量芯片质量:检查电源:用万用表直接测量VCC和GND电平是否符合要求。过热:如果可编程逻辑芯片的电流过大，可能会导致芯片内部功耗过大，从而使芯片温度升高，该器件具有宽输入共模电压范围和低静态电流的特点，并可利用输出失调完成双向电流检测，可由太阳能电池供电的单个锂电池充电管理芯片。
使用康铜电阻或MAX测量电流。模数转换电路可以根据输入电压源的电流输出能力自动调节充电电流。该器件内置功率晶体管，应用时无需外部电流检测电阻和扼流圈二极管。测量IC芯片的引脚与地之间的正负电阻值，并与良好的IC芯片进行比较，以找到故障点。ate芯片的漏电流主要是由材料引起的。如果材料选择不正确或不完美，电流就会过大，只能更换新的芯片。
供电稳定性:过大的电流可能引起供电线路的电压波动，影响其他电路的正常工作。万用表无法测量芯片的质量。方法二:交流工作电压测试法。其失调电压水平由外部电阻和基准电压源设置。温度过高可能会影响芯片的性能和寿命，甚至导致芯片损坏。方法一:离线检测。芯片可能被污染，LED芯片很小，很容易被灰尘遮挡。
德州仪器生产的高端双向电流监控器单片ic。用电阻分压器和跟随器隔离测量电压基本可以满足要求，使用带dB文件的万用表测量IC的近似交流电压。芯片工作时发热严重，并不是立即损坏，而是工作一段时间或过电流后损坏，的偏差太大，请检查其他稳压器和滤波电路的输出。如果测量多个通道，使用多路开关，如CD。
