在反相放大器电路中，由于放大器的放大效应，输入和输出之间的分布电容或寄生电容的等效电容将被放大k倍，其中k是放大器电路的电压放大系数。共源放大器电路:是应用最广泛的电路，其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS晶体管，共源放大器电路的放大系数为0，电路具有较大的电压增益和输入电阻，但米勒效应引起的输入电容过大，影响高频响应。
米勒电容对器件或电路频率特性的影响称为米勒效应。虽然一般的米勒效应指的是电容的放大。米勒电容是连接在放大器（放大设备或电路）输出端和输入端的电容器。因此，Wollman电路中的共发射极电路为AV≈，这意味着晶体管的交流电流放大受所施加信号频率的影响。
可以认为它作为放大器电路是完全无效的。但是，如图所示，在沃尔曼电路的共发射极电路中，由于a、-Ci只是CbE和CbE的和，因此不存在共发射极电路无法避免的米勒效应。等效于输入端的电容将被放大，包括共基放大、共射共基、电压-电流串并联负反馈、补偿、交错调谐和行波。共射共基型以共基结构作为共射结构的负载，因此其输出电路的等效电阻和等效电容都很低。
k倍，这就是“米勒效应”。因为晶体管的放大速度有限，频率越高，速度越慢，放大倍数越低，Us=，Ubq = Vcc-（。
