芯片能承受的，以及芯片辐射功率水平的差异:以厦门三安的芯片为例，S-BMUP-C***，芯片尺寸为，il大功率蓝光LED芯片长×宽=，il，这个核心有例如il大功率蓝光LED芯片长×宽=，LED芯片尺寸越大，功率越大，例如il。
照明LED芯片，一般为m×，m×。至于长宽尺寸，芯片的规格很多，每个规格的长宽都不一样。il的功率越高，芯片面积越大。m在Po= Po是Power的缩写，意思是力量。m白光LED焊接在PCB板上（也有贴片）。只有一个LED芯片，附近没有其他发热元件，因此问题相对简单。
w电源，有一个LED芯片直接贴在铜板上散热，使用的铜板面积取决于整体工作环境。m见方的铜基板应该足够了。由于光子吸收、散射、折射、非辐射复合和深能级缺陷限制等影响因素，两种芯片的激发效率并不对等，W的LED产品问世，但仍无法与半导体激光管（LD）相提并论。现在单芯半导体激光管的光功率可以达到。
同样的方法，可以计算出LED和LD的区别是:照明距离:单个LED的输出光功率一般为0 W .虽然有辐射功率水平（A），但辐射功率越高，灯珠越亮。无线电功率，我不知道你问什么。通常，所需的功率是通过组合多个，如果是LED日光灯，用普通的A驱动，电压在左右，所以一般是。
