漏源电压:漏极和源极之间的电压。栅源电压:栅极和源极之间的电压，因为MOS的栅极电压比源极电压高几伏，所以它可以可靠地导通，栅源电压是指场效应晶体管的栅极（G）和源极（S）之间的电压，a）处的栅源电压是阈值电压。因此，有必要使栅极电压高于漏极电压，以使电子管完全导电，当你说栅极和漏极之间的电压时，你是指漏极和源极之间的电压减去栅极和源极之间的电压。
栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过它的电流越大。因此，Vgs的电压可以控制S-D电导，电压越高，电导越大。此时，N型半导体衬底中的电子被吸引到栅极的下部，以形成连接漏极和源极的N型导电沟道。实例表明，当N沟道MOS晶体管的栅极电压大于时，体端子和源极有时连接在一起，因为有时源极也连接到电路中的最高或最低电压。
场效应晶体管（FET）是一种性能与电子管相似的半导体器件。它是一种具有高输入阻抗的压控器件，栅源电压影响输出电流的变化。FET在英语中缩写为FET。体块仅指栅极、漏极和源极所在的半导体的体块。为了使电路充分利用电源提高效率。通常，体端子连接到电路中的最高或最低电压，这根据类型而变化。
阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此是MOSFET非常重要的参数。栅极（Gate-g，也叫gate）、源极（source-s）和漏极（drain-d）\\ \\ x，因此漏电流相对较小，从使用的角度来看，期望阈值电压Vm更小。在场效应晶体管中，Vgs产生的电场可以控制从S到d的电导。
