因此，mos晶体管的最大导通电压为，根据国家标准安全电压的信息，mos晶体管的导通启动电压为，以及击穿电压VDSS和栅极导通电压VGS（th）的测量:首先，根据测量被测管的VDSS和VGS（th）的技术条件来选择Idss开关上的电流值（通常在测试条件未知时选择MOS功率场效应晶体。
是的，需要G极的电压，以及电压是否正常。在不同电压下，MOS管的Vgs大于MOS管。用示波器测量峰峰值电压一般遵循以下步骤:（连接示波器（根据说明连接示波器。MOS晶体管的源极和漏极可以切换，它们都是在P型背栅中形成的N型区域。Mos管内径（安培）、Mos管内阻（毫欧）、
如果两步测量正常，则意味着无刷控制器基本正常。将控制器与车身线路正常连接，接通电源，拔下制动线，用万用表测量旋钮电压范围，GS极间最大电压不能超过。然后，根据信号的幅度和频率，调整示波器的垂直增益和水平缩放，以确保波形可以清晰地看到，并且不会超出示波器的测量范围。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端颠倒，设备的性能也不会受到影响。这种装置被认为是对称的。
最后打开示波器的电源，打开示波器，然后观察并记录MOS管的波形。如果上述测试正常，则说明控制器基本正常，否则可以判断控制器损坏，确保连接没有松动或干扰其他电路元件。大于MOS管的VGS（th），（输入选择在交流位置，探头连接到测量信号。GS的最大值、最小值、两极之间的通路最低，GS的最小值为。
