本文目录一览1,24v无刷直流电机用mos管IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行2,死区时间到底是如何算得的求助非常感谢3,新人求助关于pwm死区时间4,hip4082死区时间控制电阻用多大5,电机驱动芯片死区时间是不是越大越好6,逆变死区时间与谐波总量之间的关系是什么7,如何正确计算并最大限度减小的死区时间1,24v无刷直流电机用mos管IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行要看电机工作电流是多大才能确定。长期工作最好不超过5A或许可以。2,死区时间到底是如何算得的求助非常感谢DB...
更新时间:2023-04-03标签: mos管死区时间是多少mos管死区时间时间 全文阅读什么是spwm死区比如在逆变电路中,一般我们都假定开关器件工作在理想情况下,即上桥臂开通时,下桥臂马上关断。下桥臂开时,上桥臂立刻关断。但在实际中,因为开关器件自身特性,是不可能实现立开立关的。因此为了防止发生桥臂直通,就必须在SPWM逆变桥电路加入死区时间(就是触发脉冲的做一个延时)。2,什么是spwm死区比如在逆变电路中,一般我们都假定开关器件工作在理想情况下,即上桥臂开通时,下桥臂马上关断。下桥臂开时,上桥臂立刻关断。但在实际中,因为开关器件自身特性,是不可能实现立开立关的。因此为了防止发生桥臂...
更新时间:2023-09-01标签: spwm死区时间是多少死区死区时间时间 全文阅读逆变电路中h桥用的IRFP250Mmos管死区时间一般是多少2,为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间逆变电路中,半桥和全桥都有上下两个桥臂,由于器件延时的原因,如不控制死区时间,总是有可能出现相知桥臂同时导通的现象(短路),所以一定要设置死区时间。一般看你选用的开头管的响应时间(请注意:开,关时间不一定一样,取其长的),取其3—4倍作为死区时间应该是保险的。3,各位大侠公司DCDC的高频开关电源使用的是全桥拓扑结构最近发现当然会,如果占空比达到50%,由于MOS管本身的关断延迟,必定会上下桥臂直...
更新时间:2023-09-04标签: mos管的死区时间是多少mos管死区时间时间 全文阅读半桥驱动电路加入死区的原因电力电子器件都有开关时间,一般关闭时间长于打开时间。如果不加入死区,那么在一个电力电子器件尚未完全关闭时另一个电子器件就已经完全开启,这样会形成短路,从而烧坏器件2,如何知道一个场效应管的死区时间是datasheet里面的ReverseRecoveryTiReverseRecoveryTime是反转恢复时间;场效应管没有死区时间吧,你是不是说的是场效应的驱动器件,那个就有死区时间,比如半桥驱动那些,死区时间:deadtime3,为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间逆变电...
更新时间:2023-10-25标签: 半桥驱动死区时间多少半桥驱动死区时间 全文阅读移相软开关电源死区时间一般设置多少这属于硬件加死区。将一路信号分成两路。1和2.1路先通过7404取非。之后的电路1和2是一样的。先通过(电阻和二极管并联)电阻与二极管正级公共端接103电容接地。形成RC加死区。同问。。。2,关于DSP2812的死区时间问题是这样的,设满了也就是时钟周期*32,这个时钟周期应该是HSPCLK的周期。1、adc采样率最大25mhz,详细的可以看书《tms320f2812原理及其c语言程序开发》或者文档spru0602、用q格式3,如何知道一个场效应管的死区时间是data...
更新时间:2023-01-11标签: 一般IC死区时间是多少一般死区时间时间 全文阅读如何知道一个场效应管的死区时间是datasheet里面的ReverseReverseRecoveryTime是反转恢复时间;场效应管没有死区时间吧,你是不是说的是场效应的驱动器件,那个就有死区时间,比如半桥驱动那些,死区时间:deadtimeReverseRecoveryTime是反转恢复时间;场效应管没有死区时间吧,你是不是说的是场效应的驱动器件,那个就有死区时间,比如半桥驱动那些,死区时间:deadtime再看看别人怎么说的。死区时间不是场效应管定的而是由场效应管的驱动定的驱动一般是由PWMIC(...
更新时间:2023-01-10标签: 半桥驱动死区时间为多少合适半桥驱动死区时间 全文阅读