mos管死区时间是多少，24v无刷直流电机用mos管 IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行

来源：整理时间：2023-04-03 18:28:13 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，24v无刷直流电机用mos管 IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行
2，死区时间到底是如何算得的求助非常感谢
3，新人求助关于pwm死区时间
4，hip4082死区时间控制电阻用多大
5，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好
6，逆变死区时间与谐波总量之间的关系是什么
7，如何正确计算并最大限度减小的死区时间

1，24v无刷直流电机用mos管 IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行

要看电机工作电流是多大才能确定。长期工作最好不超过5A

或许可以。

24v无刷直流电机用mos管 IRF540N沟道和IRF9540P沟道做驱动行

2，死区时间到底是如何算得的求助非常感谢

DBTCONA的第2-4位是定时器频率设置 000 cpu频率/1 001 cpu频率/2 。。。。110 cpu频率/32假如2-4位设置为100，那么定时频率就是150/16M。所需要的死区时间是1.6us，那么150/16*1.6=15 就是你要设置的定时周期，也就是DBTCONA的第8-11位。所以DBTCONA可以设置为：0x0ef0

你好！不是的，PWM波的周期是载波的周期，是调制波正弦波周期的N倍(N为载波比）仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

也就是说，我用三角波做载波，那么DSP所产生的PWM波的周期是三角波的周期？它等于正弦波周期的N倍？

死区时间到底是如何算得的求助非常感谢

3，新人求助关于pwm死区时间

具体什么问题？死区时间就是上下桥mos同时关闭的那段时间。

tdts tim->cr1 ckd[1:0]: 时钟分频因子这2位定义在定时器时钟(ck_int)频率、死区时间和由死区发生器与数字滤波器(etr,tix)所用的采样时钟之间的分频比例。 00：tdts = tck_int 01：tdts = 2 x tck_int 10：tdts = 4 x tck_int 11：保留，不要使用这个配置就是根据tdts来计算死区时间 tim_timebasestructure.tim_clockdivision = 0; //72mhz 运与计算死区时间我没分频那tdts 就是72mhz 算了？

新人求助关于pwm死区时间

4，hip4082死区时间控制电阻用多大

5脚电容选择0.001uF--0.1uF, 6脚振荡电阻取值2k100k7脚调节死区放电电阻越死区间越般500欧姆内,

pwm波是控制直流电机的通俗的说，5v直流电机在5v的情况下肯定速度最快，在0v的情况下肯定不转了这样电源0~5v就对应了不同的速度问题是怎么才能实现0~5v的变化呢？于是就用pwm波控制mos管来给直流电机供电。pwm就是一个矩形波，通过控制高电平和低电平的时间来控制mos管导通的时间。mos管在高电平的时候导通，就相当于5v电源直接加到电机上；mos管在低电平的时候截止，就相当于0v电源加到电机上。pwm又叫脉宽调制，就是控制高电平占一个周期的比例。而这个pwm波就是控制5v电源加到电机上的时间，从而控制了电机。

5，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好

不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

6，逆变死区时间与谐波总量之间的关系是什么

理论上减小死区时间能在一定程度上减小谐波含量。

有专用的epwm发生模块发出pwm波，可以通过相应的寄存器设置 tb cmpa 等参数以实现对pwm周期（即频率）的设定，也包括死区的设置，dsp发出pwm不是像书本上一个正弦波和一个三角波比较实现的，它是通过比较设定好的寄存器数值和定时等数字方式来实现的。脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。脉冲宽度调制是一种模拟控制方脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或mos管栅极的偏置，来实现晶体管或mos管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。 pwm控制技术以其控制简单，灵活和动态响应好的优点而成为电力电子技术最广泛应用的控制方式，也是人们研究的热点。由于当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为pwm控制技术发展的主要方向之一。式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或mos管栅极的偏置，来实现晶体管或mos管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。

7，如何正确计算并最大限度减小的死区时间

如何计算IGBT模块所需最小死区时间？1 引言在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了确保可靠地使用IGBT，必须避免出现桥臂直通现象。桥臂直通会产生额外的不必要功耗甚至热失控，可能会导致IGBT甚至整个逆变器出现故障。IGBT桥臂直通的原因典型的IGBT一个桥臂拓扑电路如下图所示，正常工作时，两个IGBT交替开通和关断，如果将两个IGBT管同一时间导通将会导致电流的上升，该电流仅受限于IGBT DC-link的杂散电感。Figure 1 Typical configuration of a voltage source inverter当然，没有人会故意将两个IGBT同时开通，但由于IGBT并不是一个理想的开关，开通和关断时间并不是严格相同。为了避免桥臂直通，总是推荐添加一个所谓的“互锁延迟时间”或称为“死区时间”到控制机制。这样，一个IGBT总会先关断，另一个在经过期望的死区时间后被开通。因此，可以避免由于不对称的开通和关断时间造成的桥臂直通现象。死区时间对逆变器工作的影响死区时间一般有两种，一是控制死区时间，二是有效死区时间。控制死区时间是在控制算法里执行的死区时间，是为了获得器件端合适的有效死区时间，设置控制死区时间的目标是为了确保有效死区时间总是正值。由于实际计算的控制死区时间总是基于最坏的情况，有效死区时间是控制死区时间的重要部分。死区时间一方面可以避免桥臂直通，另一方面也会带来不利影响。为了阐明死区时间的影响，我们考虑电压源逆变器的一个桥臂，如图2所示。假设首先输出电流的方向如图所示，IGBT管T1从开到关，IGBT管T2经过微弱的死区时间后从关到开。在有效死区时间内，两个管子都在断态，续流二极管D2传导输出电流。因而负边DC link电压施加到输出端，这种转换是被期望的。另一种情况，IGBT管T1从关到开，T2管从开到关，然后，D2仍然在死区时间内传输相同方向的电流。因此输出电压也是负边DC link电压，这种情况是不期望的。结论可概括如下：在有效死区时间内，输出电压由输出电流的方向决定，而不是控制信号。如果我们考虑图2中相反的电流方向，当T1从开到关，T2从关到开时，将会获得一个电压。所以，应用死区时间通常会使电压和电流产生扭曲。如果我们选择了一个不合适的较大的死区时间，会使感应电机系统变得不稳定，可能会造成一些破坏的情况。因此选择死区时间的过程是非常重要的，应仔细计算。Figure 2 One leg of voltage source inverter本文将解释如何测量IGBT实践中的延迟时间，和如何在测量的基础上正确地计算控制死区时间。

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