停止,两个mos晶体管的G端电压为0,栅极电流几乎为零,因此栅极功率几乎为0,否则mos晶体管的VGS过高,会损坏晶体管。为了改善MOS管的电特性,特别是耐压和电流,大多数功率MOSFET采用垂直导电结构,也称为vMOSFET(VerticalMOSFET,其具体工作原理为(见下图):OFF:漏极和源极之间施加正电源,栅极和源极之间的电压为零。其实是|Ugs|》=|VT|,场效应管开启;如果VT为正,则ugs》=VT;电子管是开着的,否则是关着的;如果VT为负,则为Ugs=栅极电压Ug=。说电网功率宽松为...
更新时间:2024-11-08标签: 栅极mos极间电压电流 全文阅读