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mos管栅极电压为0,FET有什么特点?

来源:整理 时间:2024-11-08 14:58:39 编辑:亚灵电子 手机版

停止,两个mos晶体管的G端电压为0,栅极电流几乎为零,因此栅极功率几乎为0,否则mos晶体管的VGS过高,会损坏晶体管。为了改善MOS管的电特性,特别是耐压和电流,大多数功率MOSFET采用垂直导电结构,也称为v MOSFET(VerticalMOSFET,其具体工作原理为(见下图):OFF:漏极和源极之间施加正电源,栅极和源极之间的电压为零。

其实是| Ugs |》= | VT |,场效应管开启;如果VT为正,则ugs》= VT;电子管是开着的,否则是关着的;如果VT为负,则为Ugs=栅极电压Ug=。说电网功率宽松为零是正确的,MOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管,也可以称为MOS和MOS管。在中文里,它是金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种通过场效应控制电流的半导体器件。

文章TAG:栅极mos极间电压电流

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