注:下图为用万用表二极管测量的二极管导通和压降:可以通过简单的测量来判断二极管的好坏。功率mos管与D和S级保护二极管相连，对于N沟道（mos管多为N沟道），保护二极管的正极接S，负极接D，可以快速判断D、S电平和指示器R*电平，无穷大，测换笔时电阻值还是无穷大，那么这就是格子G，注意；这种测量方法仅用于管中没有保护二极管的vmosfet。
文件，首先短接vmosfet的三个电极，然后通过交换探针测量两次电阻。漏极和源极之间有一个保护二极管。具体参数参考下图:至于这根管子的测量，需要很多技巧。首先，取下电子管，用二极管锉刀测量D和S之间的导电性。将黑色唱针连接到D极，将红色唱针连接到S极。此时，万用表指针不应移动；然后更换触针并再次测量。此时，万用表指针应向右摆动。
在大电阻测量中。如果是PMOS，用万用表二极管测量MOS管二极管的两个导电脚，正极为D电极，负极为S电极，其余为G电极，，黑色手写笔接S极，红色手写笔接D极，用红色手写笔接触G极是有效的，MOS管是P沟道。这是一个N沟道MOS晶体管/场效应晶体管，将血糖仪设置为r×，b .如果读数仍然很大并且黑色触笔不动，则使用红色触笔触摸G，触摸后立即返回原始脚。此时，如果读数为。
