LED芯片的主要外延生长方法是金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和液相外延（LPE）。LED行业中的芯片是指经过加工后在外延片上安装电极即可点亮的LED晶粒，发光二极管可以认为是经过外延、芯片和封装后的产品，目前LED外延片的生长技术主要采用有机金属化学气相沉积法。
公司主营业务为化合物光电半导体材料的研发、生产和销售。主要产品为GaN基高亮度LED外延片和芯片。MOCVD:这是目前生产LED芯片最常用的方法。LED外延片是指加热到适当温度的衬底（主要是蓝宝石、SiC、Si），气态物质InGaAlP以可控的方式输送到衬底表面生长特定的单晶薄膜。
LED芯片通过外延技术将多层材料转化为气体并沉积在基板上。通常，该衬底由蓝宝石制成。原因是蓝宝石衬底技术成熟，机械强度高，器件稳定，透光率可接受。缺点是晶格和热应力不匹配。当电流通过导线作用于芯片时，电子将被推向P区，电子和空穴在P区复合，然后以光子的形式发射能量。防水性能好，使用低压DC电源安全方便，颜色多样鲜艳；户外使用可抗紫外线老化、耐黄变、耐高温等优点。该产品广泛应用于建筑轮廓灯、娱乐场所的准装饰照明和广告装饰照明等领域。
需要指出的是，没有白光LED芯片，只有白光LED灯泡/灯管，即需要封装的小型白光LED灯，也称为灯泡和灯管。所有这些方法都可以在合适的衬底上生长高质量的半导体薄膜，在这个过程中。二是可靠性测试，主要参数包括光衰减、漏电、背压、抗静电、I-V曲线等，这些数据一般通过老化测试。聚灿光电科技股份有限公司（股票简称:聚灿光电）。
