Mos晶体管是一种电压控制元件，在某些方面使用非常方便。当然，在开关电路中，由于mos晶体管的导通电阻很小，因此也很好使用，当应用在开关电路中时，它是一个可控开关，通常由电压信号控制，MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。
该电路为缓冲电路，吸收电路的峰值，避免开关过程中产生的高压峰值击穿开关管造成的损坏。MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。使用箝位电路。增加了峰值吸收电路，如移相全桥ZVS，将MOSFET简化为一个等效电路，包括输入电容、输出电阻和放大系数。
MOS晶体管分为N沟道和P沟道，因此开关电路主要分为两种类型。因为MOS管分为N沟道和P沟道，所以开关电路主要分为两种类型。这是一个由场效应管构成的H桥电路。驾驶信号:BNU=BND不在，BPU=BPD不在，也就是说，它们彼此相对。MOS小信号等效电路是一种分析和设计MOS场效应晶体管的方法。电路形式有零电流开关半桥和零电流开关全桥。BJT的主要损失与IGBT相似。
电路形式包括LLC半桥和准方波谐振变换器以消除尾电流。一般广泛应用于高端驱动MOS，开启时栅极电压需要大于源极电压，下面是画MOS小信号等效电路的步骤:画出MOSFET的符号。要降低变压器的二次寄生电感，需要实现零电流关断，即关断前一瞬间ce电流为零，不同开关电源中的连接略有不同，比如你说的单端反激，就是从漏极连接到正电源。
