MOS的阈值电压在一个范围内。阈值电压:一般来说，传输特性曲线中输出电压随输入电压急剧变化的过渡区中点所对应的输入电压称为阈值电压，不同的设备在描述它们时有不同的参数，施密特触发器有两个阈值电压，即正向阈值电压UT和反向阈值电压UT-。
阈值电压的影响因素:背栅掺杂。阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响。0.5微米工艺水平的一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos，掺杂NMOS、背栅是确定阈值电压的主要因素。计算方法基于其电路特性。TTL，电源电压，根据相关公开信息，其中I是二极管中的电流，VD是二极管的DC电压，VT是二极管的阈值电压，k是系数，n是指数。
，输入低电平的上限，输入高电平的下限。二极管半波电流的计算公式I等于KVD减去VTn。一般与耐压有关。例如几十V的耐压一般为，过驱电压为Vgs减去Vth。内，一般是，上一般是，CMOS，对应的是，显示的是CAN_L信号和CAN_H信号相减得到的波形，如图。在用逻辑分析仪测量CAN总线信号之前，最好用示波器观察CAN_L和CAN_H信号的波形，以确定逻辑分析仪采样的闸阀电平。
需要注意的是，在测试MOSFET时，应遵循相关的安全操作规程，以免因误操作而造成损坏或危险。如果背栅掺杂更多，其反转将更加困难，它可以用两个逻辑门（如正负输入与门）或晶体管的V-I特性来描述。Pmos负mos晶体管，当器件从耗尽型变为反型时，,,,。例如MOS晶体管，当器件从耗尽型变为反型时。
