饱和区:硅管:发射极电压低于基极电压，锗管:发射极电压高于基极电压。第二步，对于处于放大状态的PNP晶体管，发射极电压》基极电压》集电极电压；对于处于放大状态的NPN晶体管，发射极电压高于基极电压，如果基极和发射极具有反向偏置电压，并且反向偏置电压高于基极，则发射极电压低于基极，锗管:放大区晶体管的基极电压一般在-伏之间。
如果基极和发射极具有反向偏置电压，但反向偏置电压小于0且大于该电压，则晶体管饱和。PNP，发射极大于基极，硅管:NPN，基极大于发射极，锗管:NPN，基极大于发射极，发射极电压（Vce）:当集电极和发射极之间的电压为正时，发射极和基极之间的电流将流动并逐渐增加，这将降低Vce的值。PNP左右开启，发射极比基极大。
发射极电压通常为0，因此发射极具有基极-发射极反向击穿电流。集电极电压（Vceo）:正常工作期间，如果集电极电压超过该值，则应保持在Vceo以下。如果振荡器管是硅NPN型，当电路不开始振动时，每个引脚的DC电压应确保管的正常工作，即be结正向偏置，bc结反向偏置，即基极电压应约高于发射极。
导通电压取决于PN结的材料，硅的导通电压就是PN结的导通电压。这是根据三极管的线性工作特性来分析的，在放大状态下，发射极结正向偏置，静态电压为0，则可以认为发射极没有电流。那么发射极具有正向偏置电流，当硅材料的NPN三极管工作在饱和区时，集电极和发射极之间也会有一个间隙。这种现象大多出现在振荡器电路中（或者出现了不应出现的自激振荡）。
