阈值电流、沟道阈值电压和CMOS漏电流主要包括MOS晶体管的反向偏置PN结电流和亚阈值电流，因此静态功耗主要由这两部分组成。nm平面晶体管和nm FinFET器件的亚阈值特性更陡峭，因此它们可以在更低的阈值电压下工作而不会破坏关态电流，从而获得更高的驱动电流，显然，当nmos栅极电压小于阈值电压时，它就会结束，因此输入为。
CMOS的动态功耗与开关电流和短路电流有关。开关电流产生如下:在CMOS电路中。由于CMOS电路输入稳定时总有一个晶体管截止，因此在理想情况下其静态功耗应该为零，但这并不意味着静态功耗真的为零。实际上，CMOS电路的静态功耗是指电路中的漏电流（这里不考虑亚阈值电流）。
/漏电阻，对于常规cmos电路，稳态时不存在DC传导电流，静态功耗理想情况下为零，但由于漏电流的存在，cmos电路的静态功耗不为零，CMOS的动态功耗分为两部分:第一部分是开关电流引起的动态功耗；第二部分是动态条件下P和N晶体管同时导通时短路电流引起的动态功耗。就像这样，输出相当于电源短路（pmos打开）和接地开路（nmos关闭）。
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