击穿时的反向偏置电压称为PN结VBR的反向击穿电压。pn结的电击穿是可逆的，当反向电压超过一定值时，电流开始急剧增加，称为反向击穿，这个电压称为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示，；反向击穿电压通常高于导通电压，最大工作电流:是二极管长期正向连续工作的最大电流，超过就会烧毁；最大反向击穿电压:二极管具有单向导通性，施加反向电压时不导通，但当电压达到一定限度时，二极管被击穿，此时的电压为最大反向电压。
如图所示，当施加在PN结上的反向电压增加到一定值时，反向电流突然急剧增加，PN结产生电击穿，这是PN结的击穿特性。区域:死区电压、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。二极管有正方向和负方向，正方向R很小，反方向R很大。电压高了就会有电流，它能承受的最大电流很小。如果较大，就会烧坏，即反向击穿。
正向导通区:当直流电压超过死区电压时导通，反向电流迅速增大。从pn结的电流-电压关系图中可以清楚地看到，两者的图案变化“相似”，但不同的是正向导通电压很低，而由硅半导体组成的pn结的导通电压是存在的，不同类型的二极管的击穿电压UBR值差异很大，从几十伏到几千伏不等，空载电压:通常锗管和二极管的伏安特性是存在的。
