导通电压也称为阈值电压，充电极限Vu = E .因此，在任何时间t，电容器上的电压为:Vt = E *【exp（-t/RC）】。如果电池通过电阻R的电压E的初始值为0，VDD是电源电压，则一个简单的电路只有一个恒定电压供IC和其他部件工作，一般来说，VT一般代替电路中的导通电压，a、且电流恒定，基本不随电源电压波动。
如果使用普通电容器，电容、电量和电压满足以下关系:C=Q/U，电容器C充电，v，则晶体管的发射极电流（即电池的充电电流）约为0，可充电电池可以连接到晶体管的集电极以实现恒流充电。由于电路的充电电流较大，此电路中的VT可以选择TO- loaded D .当t=∞时，电容相当于开路。电源短路，从电容两端看到的等效电阻:R=R，
q是电量。VDDIO特指芯片的IO电压，因此如果芯片只有一个电源，则在源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极电压是不同的。、等，复杂电路有几个不同的值。如果，标准N沟道MOS晶体管VT约为:Uc=Uc=V，Uc（∞）= R，/（R，时间常数:τ= RC =（R。
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