MoS2晶体管的开关比为10e，电源电压为2V，亚阈值摆幅为88mVdec。在可见光或紫外光的照射下，WOS2光电晶体管显示出10e6的光电流-暗电流比和510e3AW-1的紫外响应度，这是由于光敏栅极电介质的栅极控制和电荷转移的共同作用，该图具有SnO顶部栅极电介质和双栅极MoS2光电晶体管。
Sr2Nb3O10具有高介电常数和中等带隙，可用作具有各种2D沟道材料的光电晶体管的光敏高电介质。MOS晶体管HKTD4N65可用于快速充电、电源和逆变器应用。赫克泰推荐的高压功率MOS晶体管HKTD4N65是由N沟道制成的功率MOS晶体管。最大漏源电压为650V，最大漏源电流为4A，最大栅源电压为30V，漏源导通电阻为2。最小阈值电压为2V，最大阈值电压为4V，最大功耗为1mW。它采用TO-252封装。它具有良好的散热性能、产品稳定性和可靠性，可用于电动工具、PD快充、电源、驱动器、电机控制器、变频器、适配器、逆变器、电池保护板、智能插头、智能扫地机器人、智能小家电等产品。
H.二维钙钛矿氧化物有源高栅电介质。纳特电子（2024年）。https://doi.org/1038/s41928-024-01129-9·https://www.nature.com/articles.
该图显示了SnO顶栅电介质和双栅WS2光电晶体管的电气特性和光学响应。这次短路肯定有一组mos管烧坏了。在这里直接接一个2V电压的烧机。很明显，有光，就是这一个。直接换掉。还显示了具有光敏电介质的光电晶体管，它可以提供紫外-可见光双波段光电检测，并区分不同端子处的紫外光和可见光照明。
在选择功率MOS晶体管时，我们需要考虑P晶体管或N晶体管、产品所需的具体应用场景和特性、RDSON等参数。测量了主电路的电压后，发现有一个12V没有进来，原来是这个电路短路了，然后保险丝烧断了。研究前沿:复旦大学方自然电子学具有高场常数（高-）栅极电介质的高介电常数，与二维半导体兼容，对于缩小尺寸的光电器件至关重要。
