或MOS管放大驱动电磁阀。MOS晶体管的驱动电流很小，可以忽略不计，MOS晶体管的输入阻抗为G ω，IGBT推挽电路的晶体管用于产生反向电压，确保可靠关断；MOS晶体管开关不需要反向电压关断，但反向电压关断更快更可靠，如果频率高的话，极的反向电压也可以限制施加到栅极的直流电压，可以使用稳压管，稳压值在。
电压二极管。一般来说，当晶体管驱动电磁线圈时，必须在线圈两端并联一个续流二极管，以消除晶体管关断时线圈产生的反峰值电压击穿晶体管。，起到温度补偿的作用，因为当温度变化时，如果稳压器两端的电压（工作在反向电压下）变大，正向工作的二极管的端电压就会变小，两者之和基本保持不变；这个，这个反向电压超过了MOS管的耐受值，可能会损坏它。
MOS晶体管是单极器件，在导通过程中施加反向电压容易损坏。在这种情况下，使用续流二极管将防止反向电压过高，从而保护MOSFET。续流二极管连接在MOSFET的负载和电源之间，因此当MOS管关断时，它可以在电荷返回电源之前形成环路。漏极和源极之间有一个PN结。如果接通反向电压，漏极和源极之间的PN结就会导通，整个电子管就变成了二极管。
电路设计的常识是晶体的集电极（或漏极）也可以与压敏器件或阻容网络并联。通过齐纳二极管DZ，齐纳二极管产生的电荷可以通过C的输出侧，然后通过三极管（根据电流和Vceo，选择，如TIP，可能是电路设计问题，电势也将反转，加速g .当电势反转时，将对g施加限制。GTR是一种双极器件，在导通期间施加反电压可能会导致关断，这不利于安全操作，除了GTR。
