不同电压的高压mos管的电压为0，当负电压-正电压=时，IGBT、三极管、MOS管和晶闸管可以用小电压和小电流的信号控制高压和大电流的输出和通断。左右两边都有低压mos管，所以不会有高压冲击充电电池，只要g的电压高于s的电压，n沟道MOS晶体管的导通启动电压为。
下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反就是导通（当然这个相反的电压需要达到MOS管的导通电压）。当负电压增加时，两端电压保持不变。例如，导通电压为，GS电极之间的最高电压不能超过，当正电压大于负电压时，它是导通的，此时可以认为它是导体。由三极管或mos晶体管组成的逻辑门。
即可以接通（D的电压也高于S的电压）。快速稳压管。MOS的阈值电压，即所谓的导通电压，对于不同的型号有不同的值。通常，这也与其耐压有关。例如，几十伏的耐压一般为0。在这种情况下，当您使用PWM来调节充电瓶的电压时，最好在主电路中添加一个电感器。不同反应速度的MOS管的反应速度比不同反应速度的MOS管慢。
例如，它是一个电压调节器，这个电感的大小与你使用的PWM的调制频率有关。如果是小信号，可以使用电子开关，它已经饱和了（内阻最小），所以如果使用时有脉动或尖峰电压，最好在GS的两极之间连接一个。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管或金属-绝缘体、半导体，如果门槛高，对驾驶的要求也会相应提高。
