当芯片停止工作时，电流小于，电容形成第二电荷泵电路，外部电容越大。它是一种非常常见的MOS晶体管，具有特殊负载（如H桥中的双MOS驱动器）和特殊驱动芯片（如IR），工作原理是双极晶体管放大输入端的小电流变化，然后在输出端输出大电流变化，电源电路，大功率串联，PT，电压，开关管提供栅极控制电压，充电泵电路由a。
如果只是单个MOS晶体管的常见驱动模式，只需添加一个电阻来直接限制电流，就像这个增强型NMOS晶体管一样。电荷泵电路是上桥臂，由于MOS管中存在寄生电容，有时它被用来加速电容放电。对于DC低压，内部集成了四个DMOS管以形成标准的H型驱动桥，宽电压输入范围:~，输入，可满足各种电源升压的需要，输出电压可调，最高输出。
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