如果我们要研究栅极和其他节点之间的电压，比如栅极和源极之间的电压，应该说是“栅极-源极电压”。单相可控硅通常由触发脉冲触发，导通后，内部电流从阳极流向阴极P-N-P-N，从阳极流向触发器再流向阴极，可以看出触发器的电压比阳极低两个PN极，再通过一个PN极流向阴极，可控硅的压降为，电子管的栅极电压一般由负压提供，有两种方法，一种叫固定网格，很简单。
当栅极电压较低时，器件处于关断状态，电流为零。然而，当栅极电压逐渐增加时，沟道中的电荷将被吸引，在栅极附近形成电场，从而增加沟道的电导率和电流。此时，N型半导体衬底中的电子被吸引到栅极的下部，以形成连接漏极和源极的N型导电沟道。如果MOS晶体管快速关断，某个负电压会施加到栅极。由于栅极电容较大，高频时充放电时间过长，因此施加的驱动电压很高且正常。
指栅极和参考地之间的电压。另一种叫自偏栅，就是在电子管的阴极接一个电阻，然后接地，相当于提高阴极电位，以N沟道MOS管为例。当栅极电压大于时，此时，如果漏极电压相对于源极为正，电子可以从源极流向漏极，形成电流，MOS管导通，除非另有说明，任何电压均指接地电压。如果MOS管导通，则应向栅极施加一定的正电压，如果MOS管关断，则应向栅极施加正电压。
