MOS管。东芝TLP用于驱动MOS管，几个DMOS管集成在芯片中形成标准的H形驱动桥，但电路结构与双管正激有明显区别，）双管正激使用两个开关管与变压器的初级侧串联，与单管正激相比，每个开关管承受的电压应力减半（因此可以使用耐压更低的MOS管），磁复位方式简单，最常用的是两个箝位二极管。
在一个完整的运动控制系统中，电机驱动芯片是一个集成了CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片，主要由标准的TTL逻辑电平信号控制，并有一个使能控制端子来允许或禁止该器件工作。这是两个N沟道增强型CMOS晶体管。向它们的栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS晶体管的漏极-源极处于低阻状态，这相当于开关被接通，电机旋转。
这是一个电机驱动电路，其中MOS管充当开关。为了驱动，我从未使用过这种和类似的H桥驱动芯片，因为我个人认为没有必要。实际上，产品是由MOS管和三极管制成的，死区是为了防止上下臂同时导通而设计的。MOS管内置IC，输出功率与IC有关，看不同的芯片信息，里面会有详细的功率说明！
TI由直接氮化镓驱动。PI的SC继承和发展了高度集成PI的传统，它使用蓝宝石衬底上的耗尽型氮化镓，集成了级联低压MOS晶体管、初级侧控制、次级侧控制、初级和次级侧隔离等功能。共封装集成氮化镓芯片的代表制造商是PI和TI。使用ULN比使用三极管要好，因为这种电子管的输入电阻非常大。掺杂杂质:具体工艺是从硅片上暴露的区域开始。
一个ULN，没有其他电路。可以直接连接，简单方便，如果你是H桥，你可以控制它。如果你只能控制一种方式，你也可以使用ULN，补充:你肯定没看这两个IC，输出没问题。如果你想直接插入封装的达林顿光耦TLP，功率大约很大，所需的变压器体积和线径也相应更大更粗。以反击TNY为例，很明显可以看出这一点。
