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n mos电路图,nmos电路图

来源:整理 时间:2024-09-04 21:29:25 编辑:亚灵电子 手机版

参考下图。该电路是一个降压电路,什么是降压电路就是降压电路,功率场效应晶体管开关电路图:场效应晶体管导通时,漏极沟道电阻为几千mω,电路如图所示:工作原理是在三极管的基极输入开关信号来控制LED灯的开启和关闭。该电路中的场效应晶体管包括PMOS和NMOS,由C-MOS场效应晶体管(增强型MOS场效应晶体管)组成的应用电路的工作过程简述如下(见图。

由于图中使用了具有Q和N沟道的MOS晶体管,因此N沟道MOS晶体管的Vgs电压必须大于阈值电压才能导通,并且通常在高端驱动。采用PNP晶体管避免了驱动电路设计的麻烦。当输入电平低时,三极管关断,MOS管导通,灯亮。当输入电平低时,三极管导通,MOS管关断,灯熄灭。FET的极间电容不利于高频信号的隔离,从而增加了响应时间并限制了最高工作频率。

增强栅极是虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头从栅极指向外,N沟道箭头从栅极指向外。还有一种结型场效应晶体管,一般不用,简单判断:看箭头的方向,向内是NMOS,向外的箭头是PMOS。(M、MC、PMOS硕士,硕士,因为Q,如果采用三极管和MOS管的组合,那么只要把Q换成N通MOS管就可以了,因为N通MOS管更成熟更常见,价格也可以。

文章TAG:电路Buck效应开关基极

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