功能:可用于放大电路。MOS晶体管放大器电路的输入信号是正弦波VPP =信号，MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路，如果三极管的发射极E通过电阻和电容直接接地，不继续与其他单元电路有任何关系，那么三极管的集电极C一定是信号输出端。
根据所用MOS晶体管的不同，MOS门电路可分为三种类型:第一种是由PMOS晶体管组成的PMOS门电路，其工作速度较低。放大电路输入端和输出端的区分:首先，晶体管的基极B必须是信号输入端。其工作原理是双极晶体管放大输入端的小电流变化，然后在输出端输出大电流变化。因为MOS晶体管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小。
当栅极电压变化时，沟道中感应的电荷量也发生变化，导电沟道的宽度也发生变化，因此漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。通过在实验箱上测试结型场效应晶体管，知道了N沟道JEET场效应晶体管的电压放大特性和开关特性。当变为低电平时，Q是低电平输入，因此Q，N沟道FET的栅极处于高电平状态，应该导通。
根据导通模式，场效应晶体管可分为耗尽型和增强型。很简单，你可以通过观察信号输出和输出端来判断:共漏输入为栅极G，输出为源极S，交流等效时漏极直接接地。两个反相器，即Q，必须工作在开关状态，饱和开或关，因此，Q和P沟道场效应晶体管将被导通，因此Q，否则Q，其中一组MOS晶体管被布置在CPU和AGP插槽附近，而存储器插槽共享一组MOS晶体管。
