使用逆变器时,当电源电压,最佳电源电压VTn=,CMOS器件,电源电压,TTL器件,电源电压,(CMOS集成电路的电源电压必须在规定的范围内,并且不能过压或反向。如反相器电路所示,在正常电压下,这些二极管处于反向偏置状态,对逻辑功能没有影响,NMOS晶体管的栅源导通电压UTN为正,PMOS晶体管的栅源导通电压为负,其数值范围为。
驱动电流比,以使电路正常工作。CMOS反相器由两个增强型MOS场效应晶体管组成,其中V,VDATN =,文档介绍:CMOS反相器,*能量延迟,VDD(V)能量延迟(归一化)示例,NMOS晶体管,称为驱动晶体管,V,PMOS晶体管,称为负载晶体管。