mos管的死区时间在多少合适，逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

来源：整理时间：2024-06-15 12:29:03 编辑：亚灵电子网手机版

1，逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

逆变电路中h桥用的IRFP250M mos管死区时间一般是多少

2，MOSFET开关管死区最小取值由哪些参数决定datasheet里的哪些参数决定这

通常都是经验选取的，开关频率的1/50，保证电压损失不是太多。由datasheet里的时间只能最为参考，延时时间+开关时间。实际上，和主电路寄生参数，器件的性能都有关系，最好能最双脉冲先确定好你的最小死区时间，工业界基本上也是这样做的。

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3，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好

不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

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