欠压过流保护电路:N、欧姆电阻是一种采样电阻，通过对两端电压进行采样来检测主电路的电流，主要起过流保护作用。MOS晶体管通常具有过电流保护功能，当输出电流达到一定限度时，电路可自动断开，过流保护值的调整，如单端反激式电源，可通过降低MOS管下端串联的电阻值来增加输出过流保护值，当PWM控制电路检测到电流过大时，它将减少或停止PWM的输出，触发保护电路并锁定自身，以防止MOS管在过载时烧坏。
它还是内部电路的过流检测端，内部电路的MOS管的源极通过外部电阻R，在电流较大时起到保护作用。n，这里的保护是由加电瞬间带负载启动时的过电流冲击引起的。当负载短路时，电路中的电流将急剧增加，这将导致器件（如MOS管）承受过大的电流并超过其额定值，从而可能导致器件烧毁或损坏。
因此，应该通过稍微增加过流保护值来解决。MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。■这是一个由场效应晶体管组成的稳压电源电路。通过这种方式，我们可以获得更大的电流输出。电压提供给FET Q，这是一种自偏置电路结构，因此确定了栅极电压，然后确定了源极电压；另外，BSS，
MOS管分为N沟道和P沟道，因此开关电路主要分为两种类型。电阻R. N沟道耗尽型场效应晶体管，当Ugs=，当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应晶体管导通，输出端接电源地，在这个电路中，P沟道MOS FET和N沟道MOS FET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的。当Us=。
