如果压差过大，就会发生栅极击穿。n沟道IGBT*集电极-发射极击穿电压:*集电极电流:*集电极脉冲电流:*耗散工作极性:n栅极-源极电压Vds:栅极-源极电压栅极-源极电压vgs: /-，开通电压为-，自承式栅极偏置电路的功率管的阴极旁路电容的耐压必须是高质量和高可靠性的。
当栅源电压小于导通电压Ugs（th）时，IGBT的传输特性与MOSFET相同。否则，由于没有栅极偏压或正电压，功率管的阳极会在短时间内烧坏。栅极电位比漏极电位低得越多，其导电性就越强。（固定栅极偏置电路不得开路、短路或出现其他异常情况。由于N区的电导调制效应，IGBT的导通压降很小，并且是耐压的。
电流为PMOS晶体管，P沟道增强型场效应晶体管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。②即使对于N沟道增强型MOSFET，导通电压V（T）也是大于零的正值，但Vgs可能会被击穿，除非晶体管处于关断状态（Vgs通常低于漏极电位，即IGBT的导通状态电压降，并且当IGBT处于关断状态时，仅存在少量漏电流。
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