场效应晶体管芯片上的丝网印刷是有规律的，电路中场效应晶体管的标识通常分为两部分:一部分是电路图形符号，表示场效应晶体管的类型；一部分是字母数字，表示电路中场效应晶体管的序列号和型号。场效应管的类型、图形和符号，场效应管:场效应管的源极和漏极经常互换使用，两个电极之间存在电阻，判断管子的关键是弄清楚符号，场效应管具有。
N沟道结型场效应晶体管结构示意图及其图形和符号。场效应晶体管有两种，结型场效应晶体管JFET和绝缘栅场效应晶体管IGFET。后者性能优越，发展迅速，应用广泛。具体到您的电路，图中的电阻和其他元件可以根据实际电路进行更换。从图中可以初步了解场效应晶体管作为开关电路的连接方式。右图显示了P沟道场效应晶体管（IRF型，
元件的符号表示实际电路中的元件。同样，VDD和VSS指的是连接到集成内部分解电路的FET的D极和S极。例如，左图显示了一个N沟道FET（IRF模型，（c）代表一个P沟道耗尽型绝缘栅FET。在MOS FET的图形符号中，D电极和S电极之间有一根引线（它不是带箭头的，而是带箭头的，它是S电极），表示衬底。
他们的文字符号也是“VT”。VCC通常指直接连接到集成或分解电路内部的三极管的C极，而VEE指连接到集成或分解电路内部的三极管的E极。、电源电压、扩展数据；电路图主要由元件符号、连接、节点和注释四部分组成。无论是P型还是N型MOS管，其衬底都是杂质浓度较低的P型（或N型）硅衬底。
通常在逻辑电路中，不考虑衬底。它的形状不一定与实际元件相似，它的基极是另两个极的PN结，当你用一个手表周期测量到一个电极可以显示出对其他两极的低电阻或高电阻时，你基本上可以断定它是一个三极管。例如，它是由P沟道电/DMOS工艺制成的集成，不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS）具有不同的符号和特性，这部分只能记忆（可以多学一点）。
