计算mos晶体管峰值的公式是:如果已知导通电阻和通过电流，则可以使用上述公式计算压降。一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小，电压与电流成正比，根据相关公开资料，mos晶体管峰值的计算公式为:迁移率单位换算:MOS晶体管饱和区的电流公式为Ids=，阈值电压的计算公式如下:ID=是在波形图上测量的。
S有电流，其他时间没有电流，平均值很小。计算时注意单位的统一。单位面积电容的公式为Cox =ε（Sio）。首先你要知道IC芯片（高精度电压检测与控制电路）的短路检测电压是多少？如果此时增加VDS电压，将产生漏极电流iD。当电路并联时，当线性时不变电阻元件并联时，并联组合相当于一个电阻元件，其电导（电阻的倒数）等于所有并联电阻的电导之和，称为并联组合的等效电导，其倒数称为等效电阻。
从公式中我们可以得出，当电阻一定时，输入电压的变化通过FET转化为输出电流的变化。FET的增益等于其跨导，跨导定义为输出电流变化与输入电压变化之比。MOS的压降是指MOSFET饱和并导通时的VDS=I*Ron的电压。VGS越大，感应电子层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越小，iD越大。
这个不容易算。没有必需的参数（最重要的是没有奖励积分），每个锂电池保护板配置不同，配置不同保护电流也不同。/tox，其中ε（Sio，GM（max）=，C/s=，-/m数量级在波形图上测量，u * Cox * w/l *（vgs-vth）一般指静态压降。没有导电沟道，但当VGS增强到》vt时形成沟道，因此称为增强型MOS管。
