该电路采用由两个MOS晶体管组成的功率放大电路，其电路如图所示。你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路，这是一种非常常见和成熟的电路，其原理参照具有软开通功能的MOS晶体管功率开关电路进行说明，实际电路如下图所示（N沟道增强型MOS晶体管的电路形式最简单，所以选择导通电阻小的MOS晶体管，耐压不需要很高。
电路图如下图所示，有具体的元器件型号:具有软开通功能的MOS晶体管功率开关电路的详细分析见文章《具有软开通功能的MOS晶体管功率开关电路》，但要求增加一级反向电路电路。偏置电阻用于调整电路的静态工作点。下图是用MOS晶体管控制电源开关，但电源在低电平时关断，在高电平时导通:要实现题目的逻辑，只要Q，
目前，图示的MOS晶体管已经达到上限，除非有足够的冷却措施，否则稳定性不够。通道MOS驱动电路，该电路通过分别对接一个N沟道和一个P沟道FET形成，其中RP和FET具有与普通三极管相同的功能，三个电极分别对应于:发射极-源极S、基极-栅极G、集电极-漏极D..输出尽可能多的功率。
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