由电源、电阻元件和导线组成的闭合电路会产生电流。（电阻=电压/电流）在同一电路中，通过导体的电流与导体两端的电压成正比，与导体的电阻成反比，电阻和电压的关系:欧姆定律，电阻可以承受电压，但不能产生电压，，因此电阻上的电压约为，对于CMOS电路，导通电压约为，即阈值电压与工艺有关。
Vgs越大，导通电阻越小。电压由电源产生。电压和电阻之间的数学关系为:r = u/i .例如N沟道晶体管，导通后，Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。这种电阻元件本身的特性只与电阻元件本身有关。分析:你指的是CMOS集成电路中MOSFET的导通电压吗？nMOS晶体管的导通通过沟道中的电子产生电流。通常，NMOS的源极连接到衬底并一起接地。从漏极向源极施加正电压，电子从源极流向漏极。我们使电流的方向与电子的流动方向相反，因此电流从漏极流向源极。
器件中的二极管为电阻器提供了形成完整电路的路径，二极管的电压降约为。在正常使用时，电阻器r，万用表具有内阻。数字万用表的电压范围的内阻约为0，恒定值电阻器的电阻不能改变，工艺越先进，阈值电压越小。哦，连接万用表后，电池经历1米的过程，PMOS的阈值电压约为-，NMOS的阈值电压更小，也许，P沟道是相反的（当没有“偏置”时，即它正常导电）。
