mos晶体管驱动电阻导通时间大的原因有以下几点:RC时间常数:在驱动电路中，驱动电阻和驱动电容之间形成一个RC并联网络。mos管的极间电容相对较大，为了使mos管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，驱动电路用于此目的，获得部分电压，并在电路中产生电流，电压很小，电路电流几乎为零。
一般mos晶体管的饱和电压是有的，你电路的问题很明显。要了解原理，请参考以下电路:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路。这是一种非常常见和成熟的电路，原理解释参考了“具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路”。开，为电机接通电源和电流。此外，MOSFET在线性区的压控电阻特性也可用于取代集成电路中传统的多晶硅多电阻。
场效应晶体管是电压驱动的，与三极管的电流驱动不同，所以是Q，通过不同的电流，同一个mos晶体管的栅极电压是不同的。它的值很小，这是一种电力浪费，但它不应该太大，并且还需要为这种场效应晶体管的栅极电容器提供充电和放电电流，当栅极电压大于导通电压时，晶体管导通，电阻迅速变小。R的较大驱动电阻会增加RC时间常数，从而导致电荷注入或电荷提取的速度较慢，从而延长MOS晶体管的导通时间。
