常规的方法是PWM控制，常见的驱动方法有两种:集成电机驱动芯片；使用MOSFET和专用栅极驱动芯片。驱动器的容量不足，mosfet的栅极驱动电阻用于调节栅极导通的开关时间，降低mosfet被噪声击穿的可能性，功率芯片制造商:英飞凌、德州仪器、意法半导体、恩智浦、onsemi。
目前纳米半导体、英飞凌、意法半导体等厂商均在该类密封氮化镓芯片方面有所布局。后面是双输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR，输出直接驱动功率mosfet的栅极。英飞凌全球领先的半导体公司高达提供各种类型的功率芯片，包括交流/DC转换器、DC/DC转换器、LED驱动器等。
芯片是电源管理芯片，输入电压范围为，驱动器保护GaN: Nano Semiconductor最近推出了新一代氮化镓功率芯片NV，这是一种专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器。它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术，并采用双列直插式封装，可用于高达的工作总线电压，魏明开关电源芯片为；延迟时间调整；延迟时间调整；外部MOS管的栅极驱动端；升压电源的软启动时间设置。
集成GaNFET、驱动器和逻辑保护器件。其产品具有高可靠性和高效率，并广泛应用于电动汽车。在信息检索系统中。其输入与标准CMOS电平兼容。Tps，-，可以达到最大输出电压。开关电源的电压只要不是恒流输出，就基本稳定（镇流器除外）。额定输入电压会标注在产品的铭牌上，电压范围很宽。在额定低电压下，此时占空比最大，电压稳定到，
基本没有问题。在高集成度的应用中，传统的电机控制环节采用MCU栅极驱动MOSFET（如图，OA的峰值电流通过此引脚牵引和注入，输出开关频率为振荡器频率的一半。VCC，它是控制集成电路的正电源，Vref，此引脚为基准输出。保护电路也被添加到氮化镓器件中，然后是去耦电路部分。其中电容c。
