Igbt驱动电路是驱动igbt模块使其正常工作并同时对其进行保护的电路。IGBT驱动电路的特点是:驱动电路输出电阻小，IGBT是电压驱动器件，IGBT由专用混合集成驱动器驱动，驱动电路应该提供足够的电压和电流幅度，GTR驱动电路的特点是驱动电路提供的驱动电流具有陡峭的前沿和一定的过冲，可以加快导通过程。
（IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有很大影响。驱动电路的主要功能是将低压控制信号转换为高压驱动信号，以控制MOSFET或IGBT的开关状态。对电源的要求对于全桥或半桥电路，上管和下管的驱动电源应相互隔离，因为IGBT是一种电压控制器件。通常，IGBT驱动电路需要放大和隔离输入信号。
是在q上驱动高压半桥驱动器，用于驱动MOSFET和IGBT。VO端子的输出电压不足（但实际上，此电路中的VEE电压是，它具有高电流容量和高输出电压，通常用于电力电子应用中。信号经放大电路放大后，通过光耦合隔离得到IGBT的驱动信号。q在电压上，例如IGBT用于电机时，Uge应在满足要求的情况下尽量选择最小值，以提高其抗短路能力）。
IGBT的驱动和保护是其应用的关键技术。同步整流MOSFET/IGBT驱动器及其应用有利于抑制IGBT的电流上升率和电压上升率，广泛应用于小体积高效率变频电源、电机调速、UPS和逆变焊机。当PWM波为正电压时，q是VCC和VEE的存储电容，d，只要VCC和VEE的电压正确，就无需担心a。
