mos管的饱和电压一般为，其极间电容相对较大。为了使mos管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，驱动电路用于此目的，是的，相同的mos晶体管通过不同的电流具有不同的栅极电压，当背栅和源极连接在一起时，MOS晶体管的阈值电压等于形成沟道所需的栅-源偏置电压，如果应用中的电压超过MOS管的耐压，则可能损坏MOS管，因此在设计和使用电路时，必须确保其不超过MOS管的额定电压范围，以确保其正常工作和寿命。
这个晶体管的栅极电压必须小于0。不同型号具有不同的耐压和更高功率的mos，如irf。如果栅极-源极偏置电压小于阈值电压，则不存在沟道。导通电阻随着栅极电压的增加而减小。导通电压是指MOS从阻断到开始导通的最低栅极电压，通俗来说就是耐压。此时器件处于临界导通状态，器件的栅极电压被定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。
然而，它不像晶闸管那样受到控制。当它打开时，它需要一个恒定的G极电压，当这个电压消失时。反向电压，即N沟道，VGS≤，最小内阻），所以如果使用时有脉动或峰值电压，最好在GS极之间连接一个，许多MOS晶体管可以承受它，我测试过几十万个这样的场效应晶体管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司生产的电子管，参数一致性相当好。
