接下来，双输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR（mosfet栅极驱动电阻）用于调整栅极开关时间，并降低MOSFET被噪声击穿的可能性。/S是三相无刷DC电机预驱动芯片，可以驱动N型功率MOSFET，需要连接电源最高为0的数据表，上述mosfet或IGBT形成一个桥接，其中靠近电源端子（如图中红色部分）的通常称为高压侧或上臂，靠近接地端子的通常称为低压侧或下臂。
MOSFET驱动低端示例。这是一个逆变器芯片。功率芯片LNK。通过移动芯片来控制MOSFET管的开关状态，实现电源输出电压的稳定调节。例如，下面是一个简单的降压DC-DC开关电源的驱动电路:驱动电路采用红外、芯片等。功率驱动芯片充当功率MOSFET的漏极连接点，在启动和稳态运行期间提供内部工作电流。
作为一款三相、无传感器FOC控制的DC无刷电机驱动IC，它内置了驱动MOS、GC、p和p .它是一款专门为AC/DC转换设计的离线开关电源初级PWM控制芯片，内置了大容量图腾柱电路，可直接驱动MOSFET。一般在逆变器、开关电源、电机驱动等应用中需要打嗝。一般来说，打嗝可以分为两个方面，一是高压侧的故障，二是低压侧的故障，属于故障原因。
这种二极管称为体二极管，在驱动感性负载（如电机）时非常重要。顺便说一下，体二极管只存在于单个MOS管中，通常不会出现在集成电路芯片内部，低电源电流逻辑输入:a .使用逻辑“输入:低输出阻抗:典型值”。该电路的基本原理是将输入电源的DC电压用作主电源，Bp，旁路/多功能（BP/M）引脚:此引脚具有多种功能，一个外部旁路电容连接到此引脚。
