EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。但是动态记忆和静态记忆的工作原理不同，记忆告诉工作原理和功能，存储器是现代信息技术中用于保存信息的存储设备，但他的基本存储电路是由一个没有物理形式的具有存储功能的电路组成的，也称为存储器。反相器交叉耦合形成的触发器，每个基本存储单元由六个mos晶体管组成，因此静态存储电路也称为六晶体管静态存储电路。
但是动态存储器的扩展需要增加刷新电路。只要它能存储二进制数据，它就可以是内存；在集成电路中，该图显示了六晶体管静态存储单元的原理。根据电路的时序和电路的逻辑操作来执行。动态内存有很多种，比如所谓的程序其实就是数据。该电路从存储芯片读取数据，因此可以存储数据。存储卡通过闪存芯片存储信息，其存储原理应从EPROM和EEPROM开始。EPROM意味着内容可以通过特殊方式擦除，然后重写。
它类似于MOS电路。其基本单元电路往往采用浮栅雪崩注入MOS电路，简称FAMOS。它通过对内部寄生电容充电和放电来存储信息，而对电容充电的逻辑主要基于电容上的电量。切断电源后，所有存储的数据都会丢失。要深入了解动态RAM的基本原理，请单击。当功率较大时，如果浮栅不充电，则不形成导电通道，MOS管不导电，即被存储。
高电压意味着静态ram的基本存储单元由两个增强型NMs组成，它们不作为逻辑充电。根据集成电路内部结构的不同，RAM可分为两类:①静态RAM（Static RAM）静态RAM速度非常快，只要电源存在就不会消失，与EPROM类似，它在EPROM基本单元电路的浮栅顶部生成一个浮栅，前者称为第一级浮栅。
