这并不容易。首先，驱动具有低阈值电压的MOS晶体管，使得该具有低阈值电压的MOS晶体管的输出电压大于其导通时的输出电压，因为MOS晶体管内部有寄生电容，有时是为了加速电容放电，一般来说，驱动电压为at，这可以在工作条件变化时保持电源的输出电压恒定，根据相应负载的变化，调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，实现晶体管或MOS管导通时间的变化，从而实现开关稳压电源输出的变化。
如果只是单个MOS晶体管的常见驱动模式，只需添加一个电阻来直接限制电流，就像这个增强型NMOS晶体管一样。MOS晶体管一般可以，但是导通电阻比较高，由于功率MOS的G极有最大电压限制，因此需要使用MOSFET作为开关来调整和控制PWM，并且需要使用输出端的AD检测点作为反馈信号来控制和调整PWM占空比，否则当输出端有电流变化时，电压也会发生变化。
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【国产芯片】 日期：2025-02-17
