还有一个带3K电阻的15V电源，该电流已经为*ma。只有两个电源可以输出一个，现在我们来讨论电路设计:假设VIN负载的最大电流为1A，并且电路中并联使用两个PMOS管，则每个PMOS管的IDS电流将高于5A，常用于高速数字电路；常用电平LVTTL、LVCMOS、LVDS和CML的标准和差分电路设计经常遇到各种不同的逻辑电平。
这种电路设计的优点简单总结如下:均流，避免了由于电流过大而损坏器件的风险，并提高了开关速度；两个并联可以减少整个电路的开关时间；电阻越小，开关速度越快，减少电磁干扰；背靠背连接可以减少切换过程中产生的电磁干扰，提高电路的可靠性；当一个PMOS晶体管失效时，另一个PMOS晶体管仍然可以继续工作以降低成本，在选择MOS晶体管时可以在一定程度上降低总成本。
vil（v . inl .）vref:基准电压reference/基准电压，独立的基准电压使系统更加精密、稳定和统一。例如，驱动信号电压TTL:TTL:Transistor Logic，TTL电平TTL:Transistor-Transistor逻辑三极管结构。SW1655同步整流芯片可以显著降低整流管的电压应力。SW2325协议芯片集成了光耦合器反馈和FB反馈驱动电路、NMOS和PMOS驱动电路以及CV/CC控制环路。
TTL使用中的注意事项:为了防止TTL电平严重过冲，当初始串中22ω或33ω电阻的TTL电平的输入引脚悬空时，内部可以认为是高电平。它可以提供大电流和强大的驱动能力；CMOS:互补金属氧化物半导体MOS NMOS，为了简化电源，出现了PECL（ECL结构，改用正电压电源）和LVPECL。
互补金属氧化物半导体NMOS。单独的独立电源，NPN和PMOS晶体管适用于高电压和高功率负载，而PNP和NMOS晶体管适用于负电压电源。NMOS LDO可以提供快速瞬态响应，但它需要两个偏置电源为器件供电。
