CMOS门电路的阈值电压是多少，coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊

来源：整理时间：2024-03-23 06:28:45 编辑：亚灵电子网手机版

1，coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。CMOS，相应的为+5V，2.5V，1.5V，3.5V。

coms反相器的阈值电压和TTL与非门的阈值电压为多少啊

2，cmos非门电路触发电压是多少

以74HC系列门电路为例吧。在VCC=5V，温度25摄氏度时：输入高电平不得低于3.5V；输入低电平不得高于1V。

cmos电路的3输入端与非门，一个输入端通过r1等于100欧姆的电阻接地，这个输入端输入为0，通过与非运算输出f1=1。另一个输入端通过r1等于10k欧姆的电阻接地，这个输入端输入也为0，通过与非运算输出f2=1。vdd=6v 输出电压f1=f2=5.95v。

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3，coms门电路的门槛电压是多少啊

对于开关电路，一般情况下导通时电压降约0.3V（代表0），截止时的电压由电路设计决定。一般采用3V－5V（代表1）。

coms集成电路工作电压范围宽。ttl的工作电压是5伏。因而可以互相工作在同一电源电压。coms输出0电位在0-0.1v，高电位在4.9-5v。ttl输入0电位不大于0.8v。输入1电位要求不小于1.8v。coms可以直接与ttl输入相匹配。ttl输入1时有流出输入端电流约100ua。输入0时有1.5ma。对于一般coms电路只能吸收1ma左右，为此开把同一电路的几个门并联使用。如果不在同一电源电路上，他们之间不能直接连接可采用coms、ttl接口电路cd4009.也可用晶体管进行连接。由于ttl电路驱动能力非常小想直接驱动coms电路，达不到coms输入端的输入电位范围，必须提高驱动电位，用外接上拉电阻可提高输出1电位的电压一般在1.5-4.7kω选取。

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4，CMOS逻辑电路的MOS参数

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。

cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安，但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多，速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同，从几毫安到几十毫安，这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出，超出驱动逻辑电平定义区域，其电流输出能力还要高一倍到几倍，有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器，就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例，以下为74系列中全部使用（如74hc）或部分使用（如74abt)cmos技术的ic，不包括纯双极型，如74ls,74f等。低为低电平吸入电流，高为高电平扇出电流，单位为毫安。型号低高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8

5，CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊

CMOS门电路的高低电平这样定义：小于0.3VDD为低电平，大于0.7VDD为高电平，中间的非法，但有可能被判别为高。CMOS电平标准有5VCMOS，3.3VCMOS即LVCMOS33，2.5VCMOS即LVCMOS25，还有1.8V的。CMOS电路为互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而为一种单极型晶体管集成电路，其基本结构为一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。一般额定电压10%一下算为低电平，85%以上算为高电平，除此之外还有脉冲宽度的要求，比如一个非常窄的脉冲，虽然电压比较高，但是也不能被判定为高电平的。扩展资料：MCS-51单片机的逻辑部件，包括一个8位CPU及片内振荡器、 80514B掩膜ROM、87514KBEPROM、8031无ROM、特殊功能寄存器SFR128BRAM、定时器/计数器T0及T1、并行I/O接口：P0、P1、P2、P3；串行接口：TXD、RXD；中断系统：INT0，INT1。单片机也被称为单片微控器，属于一种集成式电路芯片。在单片机中主要包含CPU、只读存储器ROM和随机存储器RAM等，多样化数据采集与控制系统能够让单片机完成各项复杂的运算，无论为对运算符号进行控制，还是对系统下达运算指令都能通过单片机完成。参考资料来源：百度百科-CMOS电路参考资料来源：百度百科-单片机

规定如下：CMOS门电路主要参数的定义同TTL电路，下面主要说明CMOS电路主要参数的特点。（1）输出高电平VOH与输出低电平VOL。CMOS门电路VOH的理论值为电源电压VDD，VOH（min）=0.9VDD；VOL的理论值为0V，VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大，接近电源电压VDD值。（2）阈值电压Vth。从CMOS非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压Vth约为VDD/2。（3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。（4）传输延迟与功耗。CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门，但传输延迟较大，一般为几十ns/门，且与电源电压有关，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。前面提到74HC高速CMOS系列的工作速度己与TTL系列相当。（5）扇出系数。因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定扇出系数可达50。但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。扩展资料：CMOS允许输入最低电压是-0.5V，超出范围就可能损坏芯片。可以在输入端接一个下拉电阻，输入的-5V串联一个二极管后再接到CMOS输入端，二极管负极接到输入端上，这样，只能加正电压，而加-5V时，二极管截止，这时输入就是0。与TTL相比，CMOS的输入阻抗高，使其扇出能力比TTL强。此外，其阈值电压与电源电压有正比关系，比如低电平阈值0.3VDD，高电平阈值0.7VDD。TTL输入端可以开路，相当于输入高电平，而CMOS输入端不允许开路。参考资料来源：百度百科-CMOS逻辑电路

当然有的啊～具体可以看器件资料，楼上的说的是5V规格的，这种规格用的比较多，也有3.3V，15V等等一些规格的，一般额定电压10%一下算是低电平，85%以上算是高电平（具体以器件资料为准），除此之外还有脉冲宽度的要求，比如一个非常窄的脉冲，虽然电压比较高，但是也不能被判定为高电平的。

与芯片类型有关74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间，如果电源电压为5v，分界在1.5v到3.5v都算合格。所以低于1.5v肯定是输入低电平，高于3.5v肯定是输入高电平，而1.5v到3.5v则不能确定。所以ttl芯片不能直接驱动高速cmos，而高速cmos可以直接驱动ttl。74hctxx则另有规定，与ttl电平兼容，与74hcxx不同。各种单片机输入高低电平与此又稍有不同

当然有，就是所谓的CMOS电平，要求高电平在4.5V以上，低电平在0.5V以下。