2n7002e触发电压是多少，最小的双向触发二极管的触发电压是多少我想找一个触发电压在3v

来源：整理时间：2023-11-10 18:55:19 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，最小的双向触发二极管的触发电压是多少我想找一个触发电压在3v
2，可控硅触发电压
3，cmos非门电路触发电压是多少
4，单相固态继电器触发电压应该是多少伏
5，大家好可以帮忙解释一下可控硅在电机调速中的触发安全电压是多
6，电容器2E电压是多少
7，2n7002是什么管子

1，最小的双向触发二极管的触发电压是多少我想找一个触发电压在3v

我想就算没有这个数值的话，可以用两个稳压管反向串联代替吧？比如两个3.3V稳压管串联，大约触发电压值为3.8V-4V之间。

最小的双向触发二极管的触发电压是多少我想找一个触发电压在3v

2，可控硅触发电压

一般为1~2v吧，具体的参数可以查手册。触发电压与阳极工作电压的关系不大。

这个电路没有问题。因为无论在240VAC的正、负半周，当4脚电压增至7V左右，FKPF12N60 即触发导通，4-6脚间电压随即下降。如此循环，故不会损坏晶闸管。

触发电压是多少跟这个触发模块有关系吧！！

4-6是600V吧

可控硅触发电压

3，cmos非门电路触发电压是多少

以74HC系列门电路为例吧。在VCC=5V，温度25摄氏度时：输入高电平不得低于3.5V；输入低电平不得高于1V。

cmos电路的3输入端与非门，一个输入端通过r1等于100欧姆的电阻接地，这个输入端输入为0，通过与非运算输出f1=1。另一个输入端通过r1等于10k欧姆的电阻接地，这个输入端输入也为0，通过与非运算输出f2=1。vdd=6v 输出电压f1=f2=5.95v。

cmos非门电路触发电压是多少

4，单相固态继电器触发电压应该是多少伏

不知道你用的是哪种，有直流控制交流的，交流控交流的，直流控制直流的。直流控制交流单相固态继电器输入电压:3--32VDC 交流控交流单相固态继电器输入电压:90-270VAC 直流控制直流单相固态继电器输入电压:3-32VDC 如果有关固态继电器，固态调压单相固态继电器触发电压应该是多少伏

不知道你用的是哪种，有直流控制交流的，交流控交流的，直流控制直流的。直流控制交流单相固态继电器输入电压:3--32vdc 交流控交流单相固态继电器输入电压:90-270vac直流控制直流单相固态继电器输入电压:3-32vdc如果有关固态继电器，固态调压器，调压模块等技术问题，可以跟我交流。

5，大家好可以帮忙解释一下可控硅在电机调速中的触发安全电压是多

你关心这问题干嘛。可控硅触发的常用几种形式:光耦、db3、mcu。DB3触发的时候触发电压在30v，其他更低。关键不是电压，可控硅是电流触发器件，你需要知道的是电流的极限而非电压极限。如果一定要去纠结这个耐压的话，触发极耐压=T1(A)、T2(K)极耐压

1、两种电路我看都可以工作，问题不大，对于r1a这个电阻是多大的？为什么要加这个电阻？2、对于电机的控制，首先电机在s1停止时会产生反向电动势，该反向电动势太大时会损坏可控硅，需要在可控硅t1与t2之间加滤波电容，建议可以用0.1uf试试；另外可控硅耐压要提高；3、对于电机等感性负载的控制，最好使用3象限可控硅，在di/dt方面有好处；4、可控硅是使用哪里的？可控硅性能很重要。

6，电容器2E电压是多少

电容的电压外壳都有表明，例如标注（50V，47uF）则电压就是50伏特。　　电容器按结构分，有固定与可变；按介质材料分，有有机介质、无机介质、电解、气体介质。在用途、封装、引出方面还可分类。　　电容器的额定电压也称电容器的耐压值，是指电容器在规定的温度范围内，能够连续正常工作时所能承受的最高电压。该额定电压值通常标注在电容器上。额定电压（V）有：6.3、10、16、25、32、50、63、100、160、250、400、450、500、630、1000、1200、1500、1600、1800、2000等。　　有些电容器的工作电压是用色环或色点来表示的，颜色—工作电压（V）的关系如下：　　黑—4、棕—6.3、红—10、橙—16、黄—25、绿—32、蓝—40、紫—50、灰—63。　　也有些只用于低压电路的电容器没有耐压标志，可查产品手册。

你好：——★1、交流电中，通过电容器的电流为：ⅰ＝ u ÷ cx ；其中 cx 是电容器的容抗： cx ＝ 1 ÷（2 × π × f × c），所以，通过电容器的电流为：ⅰ＝ 2 × π × f × c × u 。——★2、交流耐压 275 v 、2 μf 电容器，接入 220 v 交流电中，流过的电流为：ⅰ＝ 2 × π × f × c × u ，＝ 2 × 3.14 × 50 × 0.000002 f × 220 v ＝ 0.13816 a 。

7，2n7002是什么管子

2n7002 n沟道增强型场效应晶体管n-channel enhancement mode field effect transistor

描述：　　晶体管极性:N沟道　　漏极电流, Id 最大值:280mA 　　电压, Vds 最大:60V 　　开态电阻, Rds(on):5ohm 　　电压 @ Rds测量:10V 　　电压, Vgs 最高:2.1V 　　功耗:0.2W 　　工作温度范围:-55to 150 　　封装类型:SOT-23 　　针脚数:3 　　SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 　　SMD标号:702 　　功率, Pd:0.2W 　　外宽:3.05mm 　　外部深度:2.5mm 　　外部长度/高度:1.12mm 　　封装类型:SOT-23 　　带子宽度:8mm 　　晶体管数:1 　　晶体管类型:MOSFET 　　温度 @ 电流测量:25°C 　　满功率温度:25°C 　　电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 　　电压, Vds 典型值:60V 　　电流, Id 连续:0.115A 　　电流, Idm 脉冲:0.8A 　　表面安装器件:表面安装　　通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm 　　通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm 　　阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V 　　阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

NMOSFET，N沟道增强型场效应管。